Hai problemi con i convertitori in tecnologia SiC?

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Al Fortronic Power troverai sessioni specifiche per fornirti la soluzione

  • La maggiore velocità di commutazione consentita dalla tecnologia SiC causa problemi di ringing che rendono difficile il debug?
  • Hai difficoltà nell’ottimizzare le prestazioni del circuito di pilotaggio del circuito a mezzo-ponte e dei relativi tempi morti?
  • Hai difficoltà nell’ottenere l’efficienza di conversione che ti aspettavi dal tuo convertitore a tecnologia SiC o GaN?
tecnologia SiC e risoluzioni alle porblematiche

La tecnologia SiC ha trovato la sua strada nelle applicazioni per inverter per il fotovoltaico, nel pilotaggio di motori ad elevate prestazioni per il poertrain delle auto elettriche. Il GaN ha trovato la sua nicchia nella alimentazione dei data center, nelle applicazioni consumer e nella ricarica wireless.

Queste nuove generazioni di dispositivi non sono la sostituzione diretta dei loro predecessori al silicio e le superiori velocità di commutazione consentite mettono i progettisti davanti a nuove sfide. 

Una delle sfide più problematiche lavorando con SiC e GaN è relativa alle necessità di pilotaggio del gate: I SiC hanno bisogno di una VGS più alta con polarizzazione negativa per lo spegnimento. D’altra parte I GaN hanno una tensione di soglia Vth molto minore ma richiedono un pilotaggio molto più preciso. In generale i dispositivi WBG, per la loro stessa natura, hanno un caduta di tensione sul body diode più elevata e questo richiede un più accurate controllo dei tempi morti e di commutazione on e off.

Per trarre completo vantaggio dalle caratteristiche di questi dispositivi li si devono far operare a frequenze superiori e quindi diventa necessario controllare in modo più attento le parassitiche del layout il che rende la progettazione di questi sistemi simile ad una progettazione per RF.

Un kit per rispondere alle esigenze del progettista

Per rispondere a tutte queste esigenze e rendere il lavoro dei progettisti più sicuro e semplice Tektronix ha approntato Il “SiC MOSFET and GaN FET Switching Power Converter Analysis Kit”.

Il kit fornisce tutto il necessario per ottenere tutti i parametri necessari per misurare in modo accurate il timing del pilotaggio di gate, Vgs, Vds, Id, e tempi di commutazione on/off sia sul lato alto che sul lato basso degli switch di potenza.

La caratterizzazione accurata e contemporanea degli switch dei lati alto e basso consente una ottimizzazione precisa del tempo morto per ottenere la miglior prestazione del progetto. Inoltre offre un potente S/W- 5PWR – che consente di misurare in modo preciso le perdite di commutazione, di conduzione, delle perdite nei magnetici, misura della qualità della potenza in n  ingresso e in uscita e l’efficienza globale.

Tektronix sarà presente al Fortronic Forum per offrire ai partecipanti una dimostrazione di questo kit e di molte altre soluzioni di strumentazione soprattutto legate all’emergente mercato dell’e-mobility.

La partecipazione è gratuita, previa registrazione online. Registrati qui