Nuovi FET SiC USCi da 650 V in configurazione cascode

JFET SiC per la carica dei veicoli elettrici

I nuovi FET riducono le perdite del 15-20% e utilizzano gli stessi circuiti di pilotaggio standard dei Mosfet al silicio Cristina Paveri Premessa I transistor JFET Sic ad alta tensione e velocità di commutazione e a bassa resistenza RDS(ON) aumentano l’efficienza e la densità di potenza in diverse applicazioni di conversione, quali sistemi di carica […]

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