Due nuovi SiC MOSFET a canale N
Progettati per battere le prestazioni di MOSFET e IGBT al silicio questi nuovi SiC MOSFET di Littlefuse offrono una resistenza in conduzione RDSON tra le più ridotte.
L’annuncio dei due nuovi MOSFET SiC a canale N – LSIC1MO120E0120 e LSIC1MO120E0160 – che si aggiungono alla famiglia in tecnologia SiC è stata fatta da Littlefuse durante APEC 2018 e sono un ulteriore risultato della collaborazione tra Littlefuse e Monolith per sviluppare semiconduttori di potenza per il mondo automotive e industriale.
Le prestazioni
I nuovi MOSFET SIC offrono livelli di resistenza in conduzione RDSON rispettivamente di 120 mΩ e di 160 mΩ ovvero valori estremamente contenuti che riducono drasticamente le perdite in conduzione. Infatti questi MOSFET sono pensati per applicazioni in un ampio spettro di sistemi di conversione. Offrono prestazioni superiori in termini di tensioni di blocco, resistenza di conduzione e capacità di giunzione. Inoltre, un’altra caratteristica della tecnologia è la velocità di commutazione irraggiungibile da parte di transistori e di IGBT al silicio con capacità di correnti equivalenti.
Le maggiori frequenze di commutazione si traducono in componenti passivi – induttanze, filtri e condensatori – molto più compatti consentendo di ridurre la densità di potenza. La ridotta RDSON, insieme alla bassa carica di gate e alla bassa capacità di uscita, rende minima la dissipazione di potenza con la conseguente riduzione di dimensioni e di complessità dei sistemi di raffreddamento.
Applicazioni tipiche:
- Veicoli elettrici.
- Energie rinnovabili (inverter per il solare).
- SMPS e UPS
- Pilotagggio di motori
- Convertitori HVDC/DC
Disponibilità: LSIC1MO120E0120 e LSIC1MO120E0160 sono disponibili in TO-247-3L.
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