12 e 13 Aprile 2022, BolognaFiere

ROHM presenta IGBT di terza generazione

La nuova generazione ha una struttura a celle avanzata per garantire elevata efficienza e soft switching.

ROHM Semiconductor ha presentato la tecnologia della nuova famiglia di IGBT da 650V di terza generazione. Grazie a una struttura avanzata e a eccellenti caratteristiche elettriche, questi dispositivi offrono la soluzione ideale per il soft switching ad alta efficienza nelle applicazioni industriali e negli elettrodomestici.

La terza generazione di IGBT ad alta efficienza viene prodotta da un wafer più sottile utilizzando le tecnologie proprietarie Field Stop e Trench Gate per prestazioni ai massimi livelli, per soddisfare le crescenti esigenze in termini di commutazione ad alta frequenza.

Basata sulla struttura Field Stop offrono un gradiente di concentrazione di portatori di carica inferiore nella regione di drift, con conseguente miglioramento della distribuzione dei portatori. Ciò consente di ridurre la tensione di saturazione e garantisce una commutazione più veloce, superando il compromesso tra tensione di saturazione e perdita di disinserzione che caratterizza le soluzioni tradizionali.

ROHM ha inoltre utilizzato la sofisticata tecnologia Trench Gate, con il risultato di ridurre la carica e la capacità di gate. Una struttura ottimizzata, costituita da celle e doping, associata a un wafer epitassiale più sottile del 15% rispetto a quello della seconda generazione, riduce nettamente la perdita totale del dispositivo. Nella fase conduttiva una concentrazione di portatori inferiore comporta una riduzione delle perdite di commutazione durante lo spegnimento. Inoltre i nuovi dispositivi sono caratterizzati da una commutazione ‘soft’ anche con una bassa resistenza di gate esterna. I risultati delle misurazioni indicano caratteristiche di basso rumore pur mantenendo una velocità di commutazione più elevata. La miniaturizzazione e caratteristiche superiori comportano una riduzione del 6% della tensione di saturazione e del 20% della perdita di commutazione allo spegnimento, rispetto ai dispositivi di seconda generazione, con conseguente miglioramento delle prestazioni di sistema.

 

Irma Garioni
Irma Garioni