Sempre più GaN-on-Silicon da Infineon
Infineon Technologies sarà protagonista, a Power Fortronic (Bologna, 17 settembre) grazie alle innovative tecnologie dedicate all’elettronica di potenza, con particolare attenzione a quelle legate al GaN-on-Si (Nitruro di Gallio su silicio).
Il noto produttore offrirà infatti piattaforme basate su GaN in configurazione “enhancement mode” e “cascode” ottimizzate per applicazioni SMPS (Switch Mode Power Supplies) a elevate prestazioni che necessitano di maggiore efficienza energetica quali utilizzati in sistemi server, telecom, consumer, mobile power.
“Il portfolio di tecnologie Gan-on-Silicon, insieme all’acquisizione di International Rectifier, e alla partnership con Panasonic, portano Infineon a una posizione di tutto rispetto sul mercato dei prodotti GaN – commenta Andreas Urschitz, Presidente della divisione ‘Power Management & Multimarket’ di Infineon Technologies -. Grazie al nostro approccio “Product to System”, i clienti possono oggi scegliere tecnologie in configurazione enhancement mode o cascode sulla base delle specifiche necessità. Al contempo, Infineon svilupperà IC e SMD (Surface Mount Device) che andranno a implementare le performance in dimensioni sempre più compatte”.
L’offerta sempre più estesa include driver e controller dedicati, oltre all’innovativo portfolio di tecnologie a processo epitassiale provenienti da International Rectifier. La collaborazione con Panasonic consentirà inoltre a Infineon di introdurre dispositivi basati su transistor Panasonic integrati in package SMD Infineon, in un dispositivo di potenza in GaN da 600V efficiente, semplice all’uso, con il vantaggio della doppia sorgente.
