12 e 13 Aprile 2022, BolognaFiere

Nuovi prodotti per Rohm Semiconductor a PCIM 2016

In occasione del PCIM (Norimberga, 10-12 maggio 2016 – Padiglione 9 – Stand 316), Rohm Semiconductor presenterà le sue ultime novità per la commutazione ad alta velocità e le prestazioni ad alta potenza, allo stesso tempo, per soddisfare il bisogno di un maggiore risparmio energetico e una maggiore efficienza.

I dispositivi di potenza avanzati hanno un enorme impatto sul risparmio energetico in tutti i tipi di sistemi di alimentazione trasformandoli a un elemento vitale per le tecnologie del futuro.
Leader nello sviluppo in tutti i settori di Si e prodotti di potenza SiC (Silicon Carbide  – Carburo di Silicio) e sulla base delle sue capacità nella catena di fornitura completa in inhouse, ROHM presenterà i suoi dispositivi di potenza state-of-the-art.

Highlights dei prodotti presentati:

  1. 3° Generazione di SiC Schottky Barrier Diodes (SBD) per migliorare le prestazioni e l’affidabilità

Nel continuare a sviluppare il suo portafoglio prodotti, ROHM presenterà la sua nuova terza Generazione di SiC SBD per migliorare le prestazioni. Il primo di questo genere, sono classificati a 650V/6, 8, 10A e sono disponibili in un package TO220AC. Attuano una bassissima VF e bassissima IR all’interno di tutto il campo di temperatura tra tutti i SiC SBD disponibili sul mercato. In aggiunta a questo, presentano elevata capacità sovratensione di corrente che è adatto per applicazioni di alimentazione. Considerato che questo dispositivo di 3° generazione contiene una struttura a giunzione PN insieme a una barriera Schottky, la durata nel funzionamento bipolare è assicurato. Queste caratteristiche contribuiscono alla tendenza in corso di alta efficienza, ad alta densità di potenza e design molto robusto.

  1. 3° Generazione di Moduli completi SiC 1200V/180A per il funzionamento ad alta frequenza più efficiente

ROHM ha aperto la strada commerciale a moduli di potenza dotati di SiC-MOSFET e SiC-SBD. ROHM presenterà il suo nuovo modulo di potenza SiC BSM180D12P3C007 valutato a 1200V/180A. Il modulo SiC Half-Bridge integra prodotti di serie come il SiC Trench MOSFET ed embedded SiC SBD nello stesso footprint come i moduli precedenti. Basato sulla struttura avanzata UMOS, il nuovo modulo raggiunge la perdita di commutazione del 77% inferiore rispetto ai moduli IGBT tradizionali e la perdita di commutazione del 42% inferiore a quello del moduli SiC utilizzando la struttura SiC-DMOS.
Questo non solo consente un funzionamento ad alta frequenza, ma contribuisce anche ad un sistema di raffreddamento più piccolo e componenti periferici che nei risultati di ritorno danno un maggiore risparmio energetico e miniaturizzazione del prodotto finale.

  1. Stepper Motor Shield Arduino per una più facile progettazione-in in tempi più brevi

Al fine di supportare la valutazione dei suoi motori e per sostenere, facilitare e accelerare la progettazione da parte dei clienti, ROHM sta per lanciare un evaluation kit (EVK). Progettata come una ‘shield ‘ da collegare direttamente alla scheda Arduino, questa EVK permette agli ingegneri di valutare rapidamente e prototipare i sistemi di motori passo-passo. E’ disponibile in 15 diverse varianti: dallo standard, micro step, bassa tensione, alta tensione. Questa soluzione copre le tensioni di alimentazione da 8V a 42V, permette fino a 2.5A per fase, così come micro-step, controllo a uno o più fasi di uno o due motori passo-passo. La EVK è facile da adattare ed è fornita con una libreria software e programmi di esempio per facilitare l’apprendimento.

Massimiliano Anticoli
Massimiliano Anticoli

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