Mosfet a bassa tensione 30V e 60V
Toshiba Electronics Europe (TEE) ha esteso la serie di MOSFET a bassa tensione ad altissima efficienza aggiungendo nuovi componenti da 30V e 60V all’attuale gamma di dispositivi da 40V. Tutti i nuovi modelli saranno disponibili in contenitori DSOP Advance, ultracompatti e termicamente efficienti, che migliorano in modo significativo la dissipazione del calore grazie al raffreddamento sulle due facce.
I nuovi MOSFET a canale N, sono fabbricati con il processo a semiconduttore a trincea U-MOS IX-H di Toshiba di nuova generazione. Questo processo riduce al minimo la resistenza di conduzione (RDS(ON)) e migliora l’efficienza di commutazione grazie alla riduzione della carica in uscita (QOSS). Alla tensione (VGS) di 10V, la RDS(ON) massima per il MOSFET da 30V è di soli 0,6 mΩ, mentre la COSS tipica è pari a 2160 pF. Il componente da 60V offre valori tipici per RDS(ON) e COSS pari rispettivamente a 1,3 mΩ e 960 pF. Ciò garantisce una maggiore versatilità per ottimizzare le prestazioni in ogni specifica applicazione.
I due nuovi MOSFET UMOS IX-H sono disponibili in contenitori DSOP Advance a montaggio superficiale e basso profilo. Entrambi hanno un ingombro superficiale di soli 5 mm x 6 mm. Tutti i MOSFET funzionano con temperature di canale fino a 175 °C.
