12 e 13 Aprile 2022, BolognaFiere

Modulo di potenza integrato

ON Semiconductor presenta il modulo di potenza integrato (PIM) NXH80T120L2Q0, caratterizzato da alta densità, che combina IBGT a elevate performance con diodi antiparallelo per applicazioni in inverter a onda sinusoidale.

  • Modulo 1200V/80A T-type
  • Elevata efficienza
  • Capacità di corto circuito
  • Applicazioni principali: inverter solari e UPS

Gli ultimi trend dalle tecnologie IGBT saranno presentati da ON Semiconductor al Power Fortronic, il 17 settembre a Bologna, anche all’interno delle sessioni plenarie, con un intervento dal titolo “Future Trend in Packages of the latest ON Semi IGBT’s technologies”.

Laura Baronchelli
Laura Baronchelli