Modulo di potenza integrato
ON Semiconductor presenta il modulo di potenza integrato (PIM) NXH80T120L2Q0, caratterizzato da alta densità, che combina IBGT a elevate performance con diodi antiparallelo per applicazioni in inverter a onda sinusoidale.
- Modulo 1200V/80A T-type
- Elevata efficienza
- Capacità di corto circuito
- Applicazioni principali: inverter solari e UPS
Gli ultimi trend dalle tecnologie IGBT saranno presentati da ON Semiconductor al Power Fortronic, il 17 settembre a Bologna, anche all’interno delle sessioni plenarie, con un intervento dal titolo “Future Trend in Packages of the latest ON Semi IGBT’s technologies”.
