Infineon lancia la sesta generazione di diodi Schottky CoolSiC da 650V
Infineon Technologies introduce nel proprio portafolio il diodo Schottky CoolSiC 650V G6 in tecnologia SiC, sfruttando appieno tutti i vantaggi del SiC rispetto al silicio
Questo ultimo sviluppo della famiglia di diodi CoolSiC è costruita e si basa sulle caratteristiche distintive del G5, garantendo affidabilità, qualità e maggiore efficienza.
I diodi CoolSiC G6 sono un complemento perfetto per le famiglie CoolMOS 7 da 600V e 650V soddisfacendo i requisiti applicativi più rigorosi in questa gamma di tensioni.
Questa nuova famiglia di diodi è dedicata alle applicazioni di alimentazione per Server e PC, per apparecchiature Telecom e PV Inverter (inverter fotovoltaici).
Il diodo Schottky CoolSiC 650V G6 presenta un nuovo layout, una nuova struttura e un nuovo sistema Schottky in metallo proprietario.
Il risultato è un benchmark di settore V F (1,25 V) e un FOM (figure of merit) Qc x VF, inferiore del 17% rispetto alla generazione precedente.
Inoltre, il nuovo diodo G6 sfrutta le forti caratteristiche del SiC per il comportamento di switching indipendente dalla temperatura e non prevede alcun reverse recovery charge.
Il design del dispositivo offre una maggiore efficienza in tutte le condizioni di carico e una maggiore densità di potenza del sistema.
Pertanto, il diodo Schottky CoolSiC 650V G6 presenta requisiti di raffreddamento ridotti, maggiore affidabilità del sistema e switching estremamente rapido.
