IGBT ibridi basati su SiC e gate driver isolati

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Un IGBT per applicazioni di potenza robuste e affidabili e un driver con isolamento di 5 kVrms con prestazioni elevate e ricco di funzioni di protezione.

PCIM Europe 2019 è stata l’occasione per ON Semiconductor per presentare un nuovo IGBT ibrido e una famiglia di gate driver isolati con prestazioni particolarmente elevate.

L’IGBT AFGHL50T65SQDC è realizzato con l’ultima tecnologia field stop e un diodo Schottky SiC  per offrire una bassa perdita di conduzione e di commutazione in diverse applicazioni di potenza che beneficiano da una bassa corrente di recupero in inversa in applicazioni PFC e inverter. 

Classificato per operare a 650 volt e gestire una corrente di 100A @25°C (50A @100°C) e correnti d’impulso fino a 200A è particolarmente indicato per applicazioni dove è richiesta una capacità in corrente particolarmente elevata.  Il dispositivo mette nello stesso package l’IGBT al silicio e il diodo Schottky  ottenendo un bilanciamento tra le minori prestazioni del dispositivo al silicio e il costo relativamente elevato di una soluzione totalmente basata sulla tecnologia SiC:

L’AFGHL50T65SQDC può operare con temperature di giunzione di 175°C rendendolo idelale per le applicazioni di potenza più esigenti e per l’ambiente automotiva per cui è completamente qualificato AEC-Q101 rendendolo ideale ler EV e HEV

Le serie di gate driver NCD(V)57000 è prevista per una vasta serie di applicazioni: inverter solari, pilotaggio motori, UPS, e automotive come powertrain.

Questi driver offrono correnti di pilotaggio elevate, corrente sorgente di 7,8A  e di assorbimento di 7,1°, e  un isolamento galvanico capace di sostenere una tensione di 5 kVrms.

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