Diodi SiC da ON Semiconductor per migliorare l’efficienza
Diodi Schottky da 650 V in tecnologia SiC per migliorare le prestazioni in commutazione e l’affidabilità del sistema.
Che i diodi in tecnologia SiC abbiano prestazioni di commutazione più veloci dei diodi Schottky al silicio grazie alla maggiore velocità di svuotamento delle cariche minoritarie è un fatto riconosciuto da tempo che ne hanno fatto una scelta indispensabile quando si voglia migliorare l’efficienza dei sistemi.
Novità tecnologiche
La tecnologia continua a migliorare riducendo il valore della tensione diretta e, di conseguenza, le perdite in conduzione, ma anche il tempo di interdizione che consente di ridurre le perdite di commutazione.
L’ultima generazione da 650V, con capacità da 6 a 50A, proposti da ON Semiconductor offrono una reverse recovery prossima a zero, bassa tensione diretta, stabilità di corrente indipendente dalla temperatura e coefficiente di temperatura positivo nel range di temperatura da -55 a +175 °C.
Questi nuovi diodi hanno una struttura dei terminali unica e coperta da brevetto che rafforza l’affidabilità e migliora stabilità e robustezza.
Vuoi scoprire tutte le novità tecnologiche in ambito Power? Non perderti il Fortronic Power 2018. Iscriviti ora
