CoolGaN 600 V di Infineon: alta efficienza e costi ridotti
Infineon presenta la serie CoolGaN di transistori ad alta mobilità di elettroni (HEMT – High Electron Mobility Transistor) con struttura e-mode (enhancement-mode) per ottenere efficienze elevate con costi di sistema ridotti.
La struttura “enhancement mode” offre velocità di accensione (turn-on) e di spegnimento (turn-off) insieme alla possibilità di ottenere una migliore integrazione sia sul chip che sul dispositivo in package. La tecnologia con cui è realizzata la serie CoolGaN è adatta a soluzioni multi-chip in un solo package e permette di ottenere topologie a mezzo ponte più semplici e a costi inferiori delle soluzioni equivalenti.
Da Infineon, innovazione nella potenza
La serie di dispositive CoolGaN a 600 V viene realizzata secondo specifiche dei processi di qualificazione che vanno ben al di là degli standard per i dispositivi di potenza al silicio e sono ottimizzati per le applicazioni telecom, datacom e SMPS per server così come per molte delle applicazioni nel mondo industriale e consumer. I prodotti della serie sono realizzati in package SMD a elevate prestazioni per mettere in evidenza tutti i benefici offerti da questa tecnologia.
I dispositive CoolGaN consentono di semplificare le topologie a mezzo ponte per PFC (Power Factor Correction) comprendendo l’eliminazione dell’inefficiente ponte di raddrizzamento di ingresso. La cosa può portare ad un leggero aumento dell’afficienza con una significativa riduzione della BOM o a una I efficienza record del 99% per un piccolo costo aggiuntivo della BOM (vedi figura).
Punti di forza:
- La migliore FOM per dispositive a 600 V,
- Eccezionali per topologie hard e soft-switching,
- Ottimizzati per velocità di accensione (turn-on) e spegnimento(turn-off),
- Efficienza elevate per SMPS,
- Consentono di aumentare la densità di Potenza fino a tre volte,
- Package per SMD che consente di sfruttare al meglio la tecnologia.
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