Array di transistor a elevata efficienza
Toshiba Electronics Europe ha presentato una nuova generazione di array di transistor a elevata efficienza realizzati con la tecnologia dei MOSFET a doppia diffusione (DMOS FET). La nuova serie di array TBD62xxxA, erede della serie TD62xxxA, è ideale in applicazioni quali il pilotaggio di motori, relè e LED. L’impiego di un circuito di pilotaggio con uscita a transistor DMOS FET permette di soddisfare i più stringenti requisiti di efficienza e basse perdite di potenza, non richiedendo alcuna corrente di base per il suo pilotaggio. La resistenza di conduzione è molto bassa e lo stadio di uscita può lavorare con tensioni e correnti nominali massime di 50 V / 0,5 A.
- Riduzione perdite di potenza del 40% rispetto alla precedente serie (Ta = 25°C e IOUT = 200 mA)
- La serie comprende 24 prodotti conformi a diverse tensioni VIN(ON) standard
- Il TBD62003A ha tensione di soglia VIN(ON) minima di 14V e supporta segnali di ingresso PMOS da 14V a 25V
- Il TBD62503A ha una tensione di soglia VIN(ON) minima di 2,5V che supporta i segnali di ingresso a livello TTL e i segnali CMOS con livelli da 3V / 5V
- Il dispositivo TBD62004A ha una tensione di soglia VIN(ON) minima di 7,0 V che supporta segnali di ingresso PMOS da 6V a 15V e segnali CMOS da 5V
- Package DIP, SOP/SOL per montaggio superficiale e piccoli SSOP (passo da 0,65 mm)
