Il 2017 si conferma più positivo per i semiconduttori di potenza
Contro una crescita dei semiconduttori totale dell’11,4% i semiconduttori di potenza crescono del + 14,2% confermando ancora una volta di essere i migliori.
I dati a consuntivo per il 2017, che compara il totale dei semiconduttori con quelli destinati all’uso nelle applicazioni di potenza, sono riportati in tabella 1 che mette in evidenza come la crescita del totale si sia fermata al +11,4% mentre i semiconduttori di potenza hanno messo a segno un +14,2%, risultato quasi tre punti percentuali migliore.
Tra le quattro famiglie che compongono la categoria power – MOSFET, IGBT, Diodes e Power IC e moduli – sono stati questi ultimi a mostrare la performance anno-su- anno – ‘17/’16% – migliore raggiungendo un +23,6% seguiti dagli IGBT con un +16,2%.
Sulle altre due famiglie che compongono il paniere si registra una leggera flessione dei MOSFET (-0,2%) ed un +8,2% per la voce ‘diodi’.
Anche la crescita media annua dal 2009 al 2017 conferma che le famiglie meglio pizzate sono le due che hanno ottenuto i risultati migliori il questo ultimo anno: Power IC e moduli posizionati al +16,2% e gli IGBT con un +14,2%. Questi risultati contribuiscono ad una crescita media annua dei semiconduttori di potenza pari al +10,2% che si raffronta con il +7% del totale dei semiconduttori.
Crescita media annua che tra il 2009 e il 2017 si converte in una crescita totale del 118% per la potenza contro una crescita totale del 72% dei semiconduttori totali.
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